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BM3415E

MOS(场效应管)

Bourns

伯恩斯

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The 3415A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

GOFORD

谷峰半导体

12V P-channel MOS FET

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FUMAN

富满微

-4.0A竊?20V P-CHANNEL MOSFET

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KIA

可易亚半导体

Heyco® PG and Metric Threaded Plugs

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海科

Heyco® PG and Metric Threaded Plugs

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海科

更新时间:2025-9-14 15:15:00
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