位置：首页 > IC中文资料第3656页 > BLS6G2731S-130,112
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
BLS6G2731S-130,112 | 封装/外壳：SOT-922-1 包装：托盘 描述：RF FET LDMOS 60V 12DB SOT9221 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC |   |
RF Manual 16th edition | ETC 知名厂家 | ETC | | |
LDMOS S-band radar power transistor General description 130 W LDMOS power transistor intended for radar applications in the 2.7 GHz to 3.1 GHz range. Features and benefits Typical pulsed RF performance at a frequency of 2.7 GHz to 3.1 GHz, a supply voltage of 32 V, an IDq of 100 mA, a tp of 300 μs with δ of 10 : Output pow | Ampleon 安谱隆 | |
BLS6G2731S-130,112产品属性
- 类型
描述
- 型号
BLS6G2731S-130,112
- 功能描述
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS S-BAND RADAR POWER TRANSISTOR
- RoHS
否
- 制造商
Freescale Semiconductor
- 配置
Single
- 频率
1800 MHz to 2000 MHz
- 增益
27 dB
- 输出功率
100 W
- 封装/箱体
NI-780-4
- 封装
Tray
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
恩XP |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
恩XP |
24+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
|||
恩XP |
12+ |
射频管 |
52 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
恩XP |
2023+ |
射频管 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
|||
恩XP |
23+ |
射频管 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
- |
23+ |
NA |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
24+ |
N/A |
62000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
恩XP |
23+ |
SMD |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
Ampleon USA Inc. |
22+ |
CDFM2 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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BLS6G2731S-130,112参数引脚图相关
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- c2000
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- bu406
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2019-9-23
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