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NPN Epitaxial Planar Transistor

Features • 2W power dissipation • Excellent HFE Characteristics up to 1A • Low Saturation Voltage VCE(sat)=0.15V(typ)(IC=1A,IB=50mA). • 5A peak pulse current

CYSTEKEC

全宇昕科技

更新时间:2025-12-25 20:00:01
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