型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BG420N10A

MOSFET

ETC

知名厂家

N-Channel MOSFET

DESCRIPTION ·Drain Current -ID= 420A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 2.3mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS ·DC-DC converter ·Battery Chargers ·High speed power switch

ISC

无锡固电

Standard Size Toggle Switch

文件:2.77001 Mbytes Page:14 Pages

COPAL

尼得科

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:296.07 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

GigaMOS Trench HiperFET Power MOSFET

文件:186.64 Kbytes Page:6 Pages

IXYS

艾赛斯

GigaMOS Trench HiperFET Power MOSFET

文件:185 Kbytes Page:6 Pages

IXYS

艾赛斯

更新时间:2026-1-4 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST(意法半导体)
24+
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
BYD
专业模块
MODULE
8513
模块原装主营-可开原型号增税票
xilinx
22+
BGA
6800
BLOCK
25+
N/A
550
BLOCK电源领域全系列订货
HAR
24+
CAN
34
BYDSEMI
23+
标准封装
5000
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保
MAKOSEMI
23+
SOT-343
800004020
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
ST(意法半导体)
2447
-
315000
1个/托盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期
BYD
22+
MODULE
5000
原装正品假一罚十,代理渠道价格优
BYD/比亚迪
22+
IGBT
50

BG420N10A数据表相关新闻