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NPNSiliconRFTransistor

NPNSiliconRFTransistor •Forhighgainlownoiseamplifiers •Foroscillatorsupto10GHz •NoisefigureF=1.1dBat1.8GHz outstandingGms=21dBat1.8GHz •TransitionfrequencyfT=25GHz •Goldmetallizationforhighreliability •SIEGET25GHzfT-Line •Pb-free(RoHS

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英飞凌英飞凌科技公司

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Si-MMIC-AmplifierinSIEGET25-Technologie

Si-MMIC-AmplifierinSIEGET®25-Technologie •Cascadable50Ω-gainblock •Unconditionallystable •Gain|S21|2=13dBat1.8GHzIP3out=+13dBmat1.8GHz(VD=3V,ID=typ.6.7mA) •NoisefigureNF=2.2dBat1.8GHz •Reverseisolation>28dBandreturnlossIN/OUT>12dBat1.8

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更新时间:2024-6-24 12:46:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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