型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
BFP420E6327

NPNSiliconRFTransistor

NPNSiliconRFTransistor •Forhighgainlownoiseamplifiers •Foroscillatorsupto10GHz •NoisefigureF=1.1dBat1.8GHz outstandingGms=21dBat1.8GHz •TransitionfrequencyfT=25GHz •Goldmetallizationforhighreliability •SIEGET25GHzfT-Line •Pb-free(RoHS

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

封装/外壳:SC-82A,SOT-343 包装:卷带(TR)剪切带(CT) 描述:RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343-4 分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

InfineonInfineon Technologies AG

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Infineon

Si-MMIC-AmplifierinSIEGET25-Technologie

Si-MMIC-AmplifierinSIEGET®25-Technologie •Cascadable50Ω-gainblock •Unconditionallystable •Gain|S21|2=13dBat1.8GHzIP3out=+13dBmat1.8GHz(VD=3V,ID=typ.6.7mA) •NoisefigureNF=2.2dBat1.8GHz •Reverseisolation>28dBandreturnlossIN/OUT>12dBat1.8

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Infineon

BFP420E6327产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BFP420E6327

  • 功能描述

    TRANS NPN RF 4.5V SOT-343

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> RF 晶体管(BJT)

  • 系列

    -

  • 产品变化通告

    Product Discontinuation 17/Dec/2010

  • 标准包装

    1

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    NPN 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    4.7V 频率 -

  • 转换

    47GHz

  • 噪声系数(dB典型值@频率)

    0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz

  • 增益

    9dB ~ 31dB 功率 -

  • 最大

    160mW 在某 Ic、Vce

  • 时的最小直流电流增益(hFE)

    160 @ 25mA,3V 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    45mA

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    4-SMD,扁平引线

  • 供应商设备封装

    4-TSFP

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 其它名称

    BFP 740FESD E6327DKR

更新时间:2025-5-30 16:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
22+
SOT-343
34920
原装正品现货
INFINEON
23+
SOT343
35890
INFINEON/英飞凌
24+
SOT343
22055
郑重承诺只做原装进口现货
INFINEON
17+
0
6200
100%原装正品现货
22+
5000
INFINEO
21+
13875
12588
原装正品假一罚十
INF
24+
SOT343
6980
原装现货,可开13%税票
INF
23+
QFP
3200
全新原装、诚信经营、公司现货销售
INFINEON
24+
SOT143-4
3000
全新原装现货 优势库存
INFINEON
11+
SOT343
6000
绝对原装自己现货

BFP420E6327芯片相关品牌

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  • ARCH
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