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BFP420E6327

NPN Silicon RF Transistor

NPN Silicon RF Transistor • For high gain low noise amplifiers • For oscillators up to 10 GHz • Noise figure F = 1.1 dB at 1.8 GHz outstanding Gms = 21 dB at 1.8 GHz • Transition frequency fT = 25 GHz • Gold metallization for high reliability • SIEGET  25 GHz fT - Line • Pb-free (RoHS

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封装/外壳:SC-82A,SOT-343 包装:卷带(TR)剪切带(CT) 描述:RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343-4 分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

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Si-MMIC-Amplifier in SIEGET 25-Technologie

Si-MMIC-Amplifier in SIEGET® 25-Technologie • Cascadable 50 Ω-gain block • Unconditionally stable • Gain |S21|2 = 13 dB at 1.8 GHz IP3out = +13 dBm at 1.8 GHz (VD = 3 V, ID = typ. 6.7 mA) • Noise figure NF = 2.2 dB at 1.8 GHz • Reverse isolation > 28 dB and return loss IN / OUT > 12 dB at 1.8

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BFP420E6327产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BFP420E6327

  • 功能描述

    TRANS NPN RF 4.5V SOT-343

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> RF 晶体管(BJT)

  • 系列

    -

  • 产品变化通告

    Product Discontinuation 17/Dec/2010

  • 标准包装

    1

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    NPN 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    4.7V 频率 -

  • 转换

    47GHz

  • 噪声系数(dB典型值@频率)

    0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz

  • 增益

    9dB ~ 31dB 功率 -

  • 最大

    160mW 在某 Ic、Vce

  • 时的最小直流电流增益(hFE)

    160 @ 25mA,3V 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    45mA

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    4-SMD,扁平引线

  • 供应商设备封装

    4-TSFP

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 其它名称

    BFP 740FESD E6327DKR

更新时间:2026-5-18 10:00:00
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