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BFG135晶体管资料

  • BFG135(A)别名：BFG135(A)三极管、BFG135(A)晶体管、BFG135(A)晶体三极管

  • BFG135(A)生产厂家：荷兰飞利浦公司

  • BFG135(A)制作材料：Si-NPN

  • BFG135(A)性质：甚高频 （VHF）_超高频/特高频 （UHF）_宽频带放大

  • BFG135(A)封装形式：贴片封装

  • BFG135(A)极限工作电压：25V

  • BFG135(A)最大电流允许值：0.15A

  • BFG135(A)最大工作频率：7GHZ

  • BFG135(A)引脚数：3

  • BFG135(A)最大耗散功率：

  • BFG135(A)放大倍数：

  • BFG135(A)图片代号：H-99

  • BFG135(A)vtest：25

  • BFG135(A)htest：7000000000

  • BFG135(A)atest：0.15

  • BFG135(A)wtest：0

  • BFG135(A)代换 BFG135(A)用什么型号代替：

BFG135价格

参考价格：￥2.3600

型号：BFG135 品牌：NXP 备注：这里有BFG135多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，BFG135批发/采购报价，BFG135行情走势销售排行榜，BFG135报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BFG135

NPN 7GHz wideband transistor

DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor in a plastic SOT223 envelope, intended for wideband amplifier applications. The small emitter structures, with integrated emitter-ballasting resistors, ensure high output voltage capabilities at a low distortion level. The distribution of t

PHILIPS

飞利浦

BFG135

RF Manual 16th edition

ETC

知名厂家

BFG135

NPN 7 GHz宽频带晶体管

ETC

知名厂家

BFG135

NPN 7GHz wideband transistor

文件：340.68 Kbytes Page：16 Pages

PHILIPS

飞利浦

BFG135A

NPN Silicon RF Transistor

• For low-distortion broadband amplifier stages in antenna and telecommunication systems up to 2 GHz at collector currents from 70 mA to 130 mA\n• Power amplifiers for DECT and PCN systems\n• Integrated emitter ballast resistor\n• fT = 6 GHz

INFINEON

英飞凌

BFG135A

NPN Silicon RF Transistor (For low-distortion broadband output amplifier stages in antenna and telecommunications)

NPN Silicon RF Transistor • For low-distortion broadband amplifier stages in antenna and telecommunication systems up to 2 GHz at collector currents from 70 mA to 130 mA • Power amplifiers for DECT and PCN systems • Integrated emitter ballast resistor • fT = 6 GHz

SIEMENS

西门子

BFG135A

NPN Silicon RF Transistor

NPN Silicon RF Transistor • For low-distortion broadband amplifier stages in antenna and telecommunication systems up to 2 GHz at collector currents from 70 mA to 130 mA • Power amplifiers for DECT and PCN systems • Integrated emitter ballast resistor • fT = 6 GHz

INFINEON

英飞凌

BFG135,115

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA 包装：卷带（TR） 描述：RF TRANS NPN 15V 7GHZ SOT223 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频

ETC

知名厂家

BFG135_15

NPN 7GHz wideband transistor

文件：91.11 Kbytes Page：12 Pages

JMNIC

锦美电子

BFG135_2015

NPN 7GHz wideband transistor

文件：91.11 Kbytes Page：12 Pages

JMNIC

锦美电子

BFG135AE6327XT

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA 包装：卷带（TR）剪切带（CT） 描述：RF TRANS NPN 15V 6GHZ SOT223-4 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频

INFINEON

英飞凌

BD135

Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor

Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor . . . designed for use as audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits. • DC Current Gain — hFE = 40 (Min) @ IC = 0.15 Adc • BD 135, 137, 139 are complementary with BD 136, 138, 140

MOTOROLA

摩托罗拉

TIP135

POWER TRANSISTORS(8.0A,60-100V,70W)

PLASTIC MEDIUM-POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS 8.0 AMPERE DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60-100 VOLTS 70 WATTS

MOSPEC

统懋

LM135

Precision Temperature Sensors

文件：291.37 Kbytes Page：14 Pages

NSC

国半

LM135AH

Precision Temperature Sensors

文件：291.37 Kbytes Page：14 Pages

NSC

国半

LM135H-MIL

Precision Temperature Sensors

文件：291.37 Kbytes Page：14 Pages

NSC

国半

BFG135产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BFG135

  • 功能描述

    TRANSISTOR UHF BIPOLAR BREITBAND

BFG135供应商更多...

更新时间：2026-5-13 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
BFG135,115
恩XP
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BFG135规格书下载地址

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    BFC233920474

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    BFP640INFINEON/英飞凌900019+SOT343原盘原标 一罚十优势现货

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