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BFG11SLASHX

NPN 2 GHz RF power transistor

DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistors encapsulated in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT143 package. FEATURES • High power gain • High efficiency • Small size discrete power amplifier • 1.9 GHz operating area • Gold metallization ensures excellent reliability. APPLICATIONS •

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

更新时间:2025-8-5 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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NA/
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振宏微专业只做正品,假一罚百!
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PHI
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恩XP
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公司现货库存,支持实单
PHI
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SOT-143
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