BF343晶体管资料
BF343别名：BF343三极管、BF343晶体管、BF343晶体三极管
BF343生产厂家：美国得克萨斯仪表公司
BF343制作材料：Si-PNP
BF343性质：调幅 （AM）_前置放大 （V）_混频 （M）
BF343封装形式：直插封装
BF343极限工作电压：
BF343最大电流允许值：
BF343最大工作频率：>80MHZ
BF343引脚数：3
BF343最大耗散功率：
BF343放大倍数：β>30
BF343图片代号：A-33
BF343vtest：0
BF343htest：80000100
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BF343wtest：0
BF343代换 BF343用什么型号代替：BF324,BF440,BF441,BF450,BF451,BF540,BF541,BF542,
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N-CHANNEL POWER MOSFETS N-Channel Power MOSFETs | SAMSUNG 三星 |   | ||
Silicon NPN Transistor RF Power Output (PO = 14W, 175MHz) Description: The NTE343 is a silicon NPN epitaxial planer type transistor designed for RF power amplifiers on VHF band mobile radio applications. Features: ● High Power Gain: Gpe ≥ 7.5dB (VCC = 13.5V, PO = 14W, f = 175MHz) ● Ability to Withstand more than 20:1 VSWR Load when Operated at: VCC = | NTE | | ||
High Voltage Operational Amplifier 文件：228.44 Kbytes Page：12 Pages | NSC 国半 | | ||
SINGLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIER 文件：114.26 Kbytes Page：7 Pages | TI 德州仪器 | | ||
SINGLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIER 文件：114.26 Kbytes Page：7 Pages | TI 德州仪器 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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BD9F500QUZ-E2
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JFET - 25 V 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 , SMD/SMT 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 , JFET 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 , GaN SiC SMD/SMT 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 , JFET N-Channel 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 , MESFET 射
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ROHM Semiconductors的BD9F800是具有高速响应的恒定导通时间控制的DC / DC转换器
2020-6-9
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