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BF1208D,115

封装/外壳:SOT-563,SOT-666 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:MOSFET N-CH DUAL GATE SOD666 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

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知名厂家

BF1208D,115产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BF1208D,115

  • 功能描述

    射频MOSFET小信号晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS

  • RoHS

  • 制造商

    NXP Semiconductors

  • 配置

    Dual Dual Gate

  • 晶体管极性

    N-Channel 电阻汲极/源极

  • 汲极/源极击穿电压

    6 V

  • 闸/源击穿电压

    6 V

  • 漏极连续电流

    30 mA

  • 功率耗散

    180 mW

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SC-88

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-10-19 12:18:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
24+
SOT363
880000
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