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BD9130价格

参考价格:¥3.5101

型号:BD9130EFJ-E2 品牌:Rohm 备注:这里有BD9130多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,BD9130批发/采购报价,BD9130行情走势销售排行榜,BD9130报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

2.7-5.5V 2A 1ch Buck converter

ROHM的高效率降压开关稳压器「BD91□□」是从5V/3.3V以下电源线产生1V等低电压的电源。通过ROHM独特的脉冲跳跃方式和同步整流电路实现高效率化。同时,采用电流模式控制,实现负荷急变时的高速过渡响应。 •1ch开关稳压器\n•通过电流模式PWM制御方式实现高速过渡应答\n•通过内置同步整流(Nch/Pch FET)、SLLM™ (Simple Light Load Mode),在全负荷领域实现高效率\n•内置软启功能\n•内置温度/UVLO保护功能\n•内置定时锁定式短路保护功能\n•2ch输入,可以独立进行ON/OFF\n•内置关闭功能Icc=0μA(Typ.);

ROHM

罗姆

Output 2A or More High-efficiency Step-down Switching Regulator with Built-in Power MOSFET

ROHM

罗姆

Output 2A or More High-efficiency Step-down Switching Regulator with Built-in Power MOSFET

文件:448.66 Kbytes Page:15 Pages

ROHM

罗姆

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘 功能:降压 包装:卷带(TR) 描述:IC REG BUCK ADJ 2A 8HTSOP-J 集成电路(IC) 稳压器 - DC-DC 开关稳压器

ROHM

罗姆

Output 2A or More High-efficiency Step-down Switching Regulator with Built-in Power MOSFET

文件:417.93 Kbytes Page:15 Pages

ROHM

罗姆

1ch DC/DC Converter IC built in Synchronous rectifier

文件:337.62 Kbytes Page:6 Pages

ROHM

罗姆

2.7V to 5.5V, 2.0A 1ch Synchronous Buck Converter integrated FET

文件:931.3 Kbytes Page:20 Pages

ROHM

罗姆

2.7V to 5.5V, 2.0A 1ch Synchronous Buck Converter integrated FET

文件:891.15 Kbytes Page:20 Pages

ROHM

罗姆

Output 2A or More High-efficiency Step-down Switching Regulator with Built-in Power MOSFET

文件:417.93 Kbytes Page:15 Pages

ROHM

罗姆

2.7V to 5.5V, 2.0A 1ch Synchronous Buck Converter integrated FET

文件:931.3 Kbytes Page:20 Pages

ROHM

罗姆

Synchronous Buck Converter with Integrated FET

文件:1.796 Mbytes Page:25 Pages

ROHM

罗姆

2.7V to 5.5V, 2.0A 1ch Synchronous Buck Converter integrated FET

文件:891.15 Kbytes Page:20 Pages

ROHM

罗姆

Synchronous Buck Converter with Integrated FET

文件:1.796 Mbytes Page:25 Pages

ROHM

罗姆

封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘 功能:降压 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:IC REG BUCK ADJ 2A SON008V5060 集成电路(IC) DC DC 开关稳压器

ROHM

罗姆

P-CHANNEL POWER MOSFETS

FEATURES • Low RDS(on) • Improved inductive ruggedness • Fsat switching times • Rugged polysilicon gate cell structure • Low input capacitance • Extended safe operating area • Improved high temperature reliability

SAMSUNG

三星

P-CHANNEL POWER MOSFETS

FEATURES • Low RDS(on) • Improved inductive ruggedness • Fsat switching times • Rugged polysilicon gate cell structure • Low input capacitance • Extended safe operating area • Improved high temperature reliability

SAMSUNG

三星

TC9130P 4CH INDEPENDENT CYCLIC TYPE TOUCH SWITCH

TOSHIBA

东芝

P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS

文件:20.72 Kbytes Page:2 Pages

SEME-LAB

P-CHANNEL POWER MOSFET

文件:16.9 Kbytes Page:2 Pages

SEME-LAB

BD9130产品属性

  • 类型

    描述

  • 封装:

    SON008V5060

  • 包装数量:

    2000

  • 最小独立包装数量:

    2000

  • 包装形态:

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • ch:

    1

  • Integrated FET / Controller:

    Integrated FET

  • Topology:

    Buck

  • Synchronous / Nonsynchronous:

    Synchronous

  • Vin1(Min.)[V]:

    2.7

  • Vin1(Max.)[V]:

    5.5

  • Vout1(Min.)[V]:

    1

  • Vout1(Max.)[V]:

    2.5

  • Iout1(Max.)[A]:

    2

  • SW frequency(Max.)[MHz]:

    1

  • Light Load mode:

    Yes

  • EN:

    Yes

  • PGOOD:

    No

  • Operating Temperature (Min.)[°C]:

    -25

  • Operating Temperature (Max.)[°C]:

    105

  • Package Size [mm]:

    5x6 (t=1)

更新时间:2026-7-24 11:43:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM/罗姆
26+
QFN
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十五年行业诚信经营,专注全新正品
ROHM/罗姆
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