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BD647晶体管资料

  • BD647别名：BD647三极管、BD647晶体管、BD647晶体三极管

  • BD647生产厂家：德国AEG公司_德国西门子AG公司_德国凡尔伏公司

  • BD647制作材料：Si-N+Darl+Di

  • BD647性质：低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）

  • BD647封装形式：直插封装

  • BD647极限工作电压：100V

  • BD647最大电流允许值：8A

  • BD647最大工作频率：<1MHZ或未知

  • BD647引脚数：3

  • BD647最大耗散功率：62.5W

  • BD647放大倍数：

  • BD647图片代号：B-10

  • BD647vtest：100

  • BD647htest：999900

  • BD647atest：8

  • BD647wtest：62.5

  • BD647代换 BD647用什么型号代替：BD699，BD899，BDW73B，BDX33B，BDX53B，FD50B,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
BD647

NPNSILICONPOWERDARLINGTONS

PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewithBD645,BD647,BD649andBD651 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A

POINNPower Innovations Ltd

Power Innovations Ltd

POINN
BD647

NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS

NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS

SIEMENS

Siemens Ltd

SIEMENS
BD647

PNPSILICONDARLINGTONTRANSISTORS

NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS

SIEMENS

Siemens Ltd

SIEMENS
BD647

SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS

SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS PNPepitaxial-basetransistorsinamonolithicDalringtoncircuitandhousedinaTO-220enveloppe.Theyareintendedforoutputstagesinaudioequipment,generalamplifiers,andanalogueswitchingapplication. NPNcomplementsareBD643,BD645,BD647

COMSET

Comset Semiconductor

COMSET
BD647

SiliconNPNPowerTransistors

SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·ComplementtotypeBD645/647/649/651 ·DARLINGTON APPLICATIONS ·Foruseinoutputstagesinaudioequipment,generalamplifier,andanalogueswitchingapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
BD647

iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor

*Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=80V(Min) *HighDCCurrentGain:hFE=750(Min)@IC=3A *LowSaturationVoltage *ComplementtoTypeBD648

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
BD647

NPNSILICONPOWERDARLINGTONS

NPNSILICONPOWERDARLINGTONS ●RoHScompliant* ●DesignedforComplementaryUsewithBD646,BD648,BD650andBD652 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A

BournsBourns Inc.

伯恩斯（邦士）

Bourns
BD647

NPNSILICONPOWERDARLINGTONS

NPNSILICONPOWERDARLINGTONS ●RoHScompliant* ●DesignedforComplementaryUsewithBD646,BD648,BD650andBD652 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A

BournsBourns Inc.

伯恩斯（邦士）

Bourns
BD647

SiliconNPNDarlingtonPowerTransistor

Eplbasepowerdarlingtontransistors(62.5W) BD643,BD645,BD647,andBD649aremonolithicNPNSiliconepibasepowerdarlingtontransistorswithdiodeandresistorsinaTO220ABplasticpackage(TOP-66).Thecollectorsofthetwotransistorsareelectricallyconnectedtothemetallicmounting

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
BD647

NPNSILICONPOWERDARLINGTONS

文件：105.89 Kbytes Page：5 Pages

BournsBourns Inc.

伯恩斯（邦士）

Bourns
BD647

SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS

文件：112.31 Kbytes Page：5 Pages

COMSET

Comset Semiconductor

COMSET
BD647F

iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor

文件：279.03 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
BD647-S

封装/外壳：TO-220-3 包装：卷带（TR） 描述：TRANS NPN DARL 80V 8A TO220 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

BournsBourns Inc.

伯恩斯（邦士）

Bourns
AD647

UltralowDrift,DualBiFETOpAmp

PRODUCTDESCRIPTION TheAD647isanultralowdrift,dualJFETamplifierthatcombineshighperformanceandconvenienceinasinglepackage.TheAD647usesthemostadvancedion-implantationandlaserwaferdrifttrimmingtechnologiestoachievethehighestperformancecurrentlyavailableinad

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

AD
647

MINIATUREFUSEHOLDERS

文件：91.26 Kbytes Page：1 Pages

LittelfuseLittelfuse Inc.

力特力特公司

Littelfuse
647.S

GeneralPurposeTweezers

文件：3.67611 Mbytes Page：4 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc2未分类制造商

etc2
647.SA

GeneralPurposeTweezers

文件：3.67611 Mbytes Page：4 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc2未分类制造商

etc2
647H

600Hand600NHseries

文件：324.88 Kbytes Page：8 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc2未分类制造商

etc2

BD647产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BD647

  • 功能描述

    达林顿晶体管 62.5W NPN Silicon

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 配置

    Octal

  • 晶体管极性

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流

    0.5 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-18

  • 封装

    Reel

BD647供应商更多...

更新时间：2024-4-19 19:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
中天科工半导体（深圳）有限公司
BD647
ST
20+
TO-220
38560
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深圳市振宏微科技有限公司
BD647
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BD647F
NXP/恩智浦
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深圳市富芯乐电子科技有限公司
BD647
ST
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BD647
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深圳兆威电子有限公司
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深圳市特顺芯科技有限公司
BD647
TO-220
10000
全新
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深圳市恒创达实业有限公司
BD647
ST/进口原
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6200
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深圳市赛尔通科技有限公司
BD647
P
23+
TO-220
398
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
BD647
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