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BD647中文资料

BD647
厂家型号

BD647
文件大小

112.31Kbytes
页面数量

5页
功能描述

SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

达林顿晶体管 62.5W NPN Silicon
数据手册

原厂下载下载地址一下载地址二
生产厂商

COMSET

相近规格书

BD647产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BD647

  • 功能描述

    达林顿晶体管 62.5W NPN Silicon

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 配置

    Octal

  • 晶体管极性

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流

    0.5 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-18

  • 封装

    Reel

BD647供应商...

更新时间：2025-12-25 15:19:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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BD647 资料下载更多...

BD647 芯片相关型号

BD647 晶体管资料

  • BD647别名：BD647三极管、BD647晶体管、BD647晶体三极管

  • BD647生产厂家：德国AEG公司_德国西门子AG公司_德国凡尔伏公司

  • BD647制作材料：Si-N+Darl+Di

  • BD647性质：低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）

  • BD647封装形式：直插封装

  • BD647极限工作电压：100V

  • BD647最大电流允许值：8A

  • BD647最大工作频率：<1MHZ或未知

  • BD647引脚数：3

  • BD647最大耗散功率：62.5W

  • BD647放大倍数：

  • BD647图片代号：B-10

  • BD647vtest：100

  • BD647htest：999900

  • BD647atest：8

  • BD647wtest：62.5

  • BD647代换 BD647用什么型号代替：BD699，BD899，BDW73B，BDX33B，BDX53B，FD50B,

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