BD647F晶体管资料
BD647F别名：BD647F三极管、BD647F晶体管、BD647F晶体三极管
BD647F生产厂家：
BD647F制作材料：Si-N+Darl+Di
BD647F性质：LSO
BD647F封装形式：直插封装
BD647F极限工作电压：100V
BD647F最大电流允许值：8A
BD647F最大工作频率：<1MHZ或未知
BD647F引脚数：3
BD647F最大耗散功率：>20W
BD647F放大倍数：
BD647F图片代号：B-10
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- BD647Fatest：8
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BD647F代换 BD647F用什么型号代替：BDT63BF,BDT63CF,2SD1415,2D1791,
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
BD647F | isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 文件：279.03 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 |   | |
Premier Supplier of Electronic Hardware 文件：5.0379 Mbytes Page：60 Pages | ABBATRON | | ||
MINIATURE FUSEHOLDERS 文件：91.26 Kbytes Page：1 Pages | Littelfuse 力特 | | ||
General Purpose Tweezers 文件：3.67611 Mbytes Page：4 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | | ||
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600H and 600NH series 文件：324.88 Kbytes Page：8 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
2511 |
TO-220 |
16900 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
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ST |
25+ |
TO-220 |
16900 |
原装，请咨询 |
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PHSSEMICONDUCTOR |
24+ |
NA |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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BOURNSINC |
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TO-TO-220 |
12300 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
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23+ |
TO-220 |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
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NEXPERIA/安世 |
23+ |
SOT-323 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
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PHSSEMICONDUCTOR |
2447 |
NA |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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ST |
1922+ |
TO220 |
3000 |
绝对进口原装现货 |
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ST |
25+ |
原厂原封装 |
86720 |
全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔 |
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INFINEON |
24+ |
SOD-523 |
8898 |
公司现货库存,支持实单 |
BD647F芯片相关品牌
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BD647F参数引脚图相关
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BD6232FP-E2ROHM200015+25HSOP原盘原标 假一罚十优势现货
2021-9-16BD63241FV-E2
深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱：yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生
2020-4-25BD71850MWV-E2用于i.MX8MNano的BD71850MWV系统PMICBD71850MWV-E2
ROHM Semiconductor 的系统 PMIC 集成了 i.MX 8M Nano 处理器和系统外围设备所需的所有电源轨
2020-3-5BD71847AMWV-E2适用于i.MX8MMini系列的BD71847AMWV系统PMIC
ROHM的可编程电源管理IC（PMIC）专为单核，双核和四核SoC供电
2019-9-24BD4F5FSLS33-缓冲器/驱动器
LSI逻辑公司提供以下驱动器/接收器输入/输出（的I / O），作为一般用途的I / O缓冲器细胞： •bd4f5fsls33 •bd4puf5fsls33 •bd4puodf5fsls33 •bd4puodf5fscls33 该I / O缓冲器提供芯片外，双向I/ O的applicationspecific信号集成电路（ASIC）的LSI逻辑芯片实现G12号™- P的0.13微米工艺技术。具有类似功能的I / O缓冲器提供一个不同的驱动程序选项的ASIC应用。
2013-3-5
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