BD647F晶体管资料
BD647F别名:BD647F三极管、BD647F晶体管、BD647F晶体三极管
BD647F生产厂家:
BD647F制作材料:Si-N+Darl+Di
BD647F性质:LSO
BD647F封装形式:直插封装
BD647F极限工作电压:100V
BD647F最大电流允许值:8A
BD647F最大工作频率:<1MHZ或未知
BD647F引脚数:3
BD647F最大耗散功率:>20W
BD647F放大倍数:
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BD647F代换 BD647F用什么型号代替:BDT63BF,BDT63CF,2SD1415,2D1791,
型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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BD647F | iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor 文件:279.03 Kbytes Page:2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ||
UltralowDrift,DualBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD647isanultralowdrift,dualJFETamplifierthatcombineshighperformanceandconvenienceinasinglepackage.TheAD647usesthemostadvancedion-implantationandlaserwaferdrifttrimmingtechnologiestoachievethehighestperformancecurrentlyavailableinad | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 | |||
MINIATUREFUSEHOLDERS 文件:91.26 Kbytes Page:1 Pages | LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司 | |||
GeneralPurposeTweezers 文件:3.67611 Mbytes Page:4 Pages | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商 | |||
GeneralPurposeTweezers 文件:3.67611 Mbytes Page:4 Pages | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商 | |||
600Hand600NHseries 文件:324.88 Kbytes Page:8 Pages | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商 |
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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PHSSEMICONDUCTOR |
2020+ |
NA |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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ST |
20+ |
TO-220 |
38560 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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ST/PHI |
1738+ |
TO-220 |
8529 |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
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NXP/恩智浦 |
22+ |
TO-220F |
91784 |
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NXP |
20+ |
TO-220F |
90000 |
全新原装正品/库存充足 |
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TO-220FA |
10000 |
全新 |
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ST/进口原 |
17+ |
TO-220 |
6200 |
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ST |
21+ |
TO-220 |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
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PHI |
05+ |
原厂原装 |
17641 |
只做全新原装真实现货供应 |
|||
NXP |
23+ |
TO-220F |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
BD647F规格书下载地址
BD647F参数引脚图相关
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2021-9-16BD63241FV-E2
深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516网站http://www.kehengweiyedz.cn网站http://www.kehengweiye.com邮箱:yulin522@126.com0755-8320005015817287769柯先生
2020-4-25BD71850MWV-E2用于i.MX8MNano的BD71850MWV系统PMICBD71850MWV-E2
ROHMSemiconductor的系统PMIC集成了i.MX8MNano处理器和系统外围设备所需的所有电源轨
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2019-9-24BD4F5FSLS33-缓冲器/驱动器
LSI逻辑公司提供以下驱动器/接收器输入/输出(的I/O),作为一般用途的I/O缓冲器细胞:•bd4f5fsls33•bd4puf5fsls33•bd4puodf5fsls33•bd4puodf5fscls33该I/O缓冲器提供芯片外,双向I/O的applicationspecific信号集成电路(ASIC)的LSI逻辑芯片实现G12号™-P的0.13微米工艺技术。具有类似功能的I/O缓冲器提供一个不同的驱动程序选项的ASIC应用。
2013-3-5
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