型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BD5000G

50A GLASS PASSIVATED BOSCH TYPE PRESS-FIT DIODE

Glass Passivated Die Construction Low Leakage Low Cost High Surge Current Capability Typical IR less than 5.0μA

WTE

Won-Top Electronics

DUAL POSITIVE/NEGATIVE, 3 AMP, LOW DROPOUT FIXED VOLTAGE REGULATORS

DESCRIPTION: The MSK5000 Series offers low dropout voltages on both the positive and negative regulators. This, combined with the low θJC, allows increased output current while providing exceptional device effciency. Because of the increased effciency, a small hermetic 5 pin package can be used p

MSK

THS4531DGKEVM Evaluation Module

文件:436.41 Kbytes Page:7 Pages

TI

德州仪器

THS4521/2/4EVM

文件:1.10684 Mbytes Page:15 Pages

TI

德州仪器

Simple Power Solution Using LDOs

文件:149.07 Kbytes Page:8 Pages

TI

德州仪器

Dual-Core Intel Xeon Processor

文件:3.69648 Mbytes Page:104 Pages

Intel

英特尔

更新时间:2025-11-18 18:17:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MOT
25+
6
公司优势库存 热卖中!
ROHM
SMDDIP
185600
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
ROHM/罗姆
23+
TO220FP-5
24500
罗姆全系列在售
ROHM/罗姆
23+
TO220FP-5
15800
专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优
24+
DIP-18
296
ST
22+
TO-220
16900
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
恩XP
25+
TO-TO-220
37650
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
ROHM
24+
N/A
90000
一级代理商进口原装现货、价格合理
恩XP
23+
TO-220
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
恩XP
TO-220
22+
6000
十年配单,只做原装

BD5000G数据表相关新闻

  • BD6232FP-E2电机驱动/控制器

    BD6232FP-E2ROHM200015+25HSOP原盘原标 假一罚十优势现货

    2021-9-16
  • BD49K25G-TL功能描述BD49K25G-TL原装正品现货

    BD49K25G-TL功能描述BD49K25G-TL原装正品现货

    2020-6-5
  • BD4842G-TR WTC6106BSI

    原装正品 ,价格优势

    2020-6-4
  • BD63241FV-E2

    深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱:yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生

    2020-4-25
  • BD71847AMWV-E2适用于i.MX8MMini系列的BD71847AMWV系统PMIC

    ROHM的可编程电源管理IC(PMIC)专为单核,双核和四核SoC供电

    2019-9-24
  • BD4F5FSLS33-缓冲器/驱动器

    LSI逻辑公司提供以下驱动器/接收器输入/输出(的I / O),作为一般用途的I / O缓冲器细胞: •bd4f5fsls33 •bd4puf5fsls33 •bd4puodf5fsls33 •bd4puodf5fscls33 该I / O缓冲器提供芯片外,双向I/ O的applicationspecific信号集成电路(ASIC)的LSI逻辑芯片实现G12号™- P的0.13微米工艺技术。具有类似功能的I / O缓冲器提供一个不同的驱动程序选项的ASIC应用。

    2013-3-5