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BCR185晶体管资料

  • BCR185别名：BCR185三极管、BCR185晶体管、BCR185晶体三极管

  • BCR185生产厂家：

  • BCR185制作材料：Si-P+R

  • BCR185性质：表面帖装型 （SMD）

  • BCR185封装形式：贴片封装

  • BCR185极限工作电压：50V

  • BCR185最大电流允许值：0.1A

  • BCR185最大工作频率：<1MHZ或未知

  • BCR185引脚数：3

  • BCR185最大耗散功率：

  • BCR185放大倍数：

  • BCR185图片代号：H-15

  • BCR185vtest：50

  • BCR185htest：999900

  • BCR185atest：0.1

  • BCR185wtest：0

  • BCR185代换 BCR185用什么型号代替：DTA114YK,KSR2106,RN2407,UN2114,

BCR185价格

参考价格：￥0.1262

型号：BCR185E6327 品牌：Infineon 备注：这里有BCR185多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，BCR185批发/采购报价，BCR185行情走势销售排行榜，BCR185报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BCR185

PNP Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit)

PNP Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1=10kΩ, R2=47kΩ)

SIEMENS

西门子

BCR185

PNP Silicon Digital Transistor

PNP Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1 = 10kΩ , R2 = 47kΩ ) • For 6-PIN packages: two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one packag

INFINEON

英飞凌

BCR185

AF 数字晶体管

PNP硅数字晶体管 • 开关电路、逆变器、接口电路、驱动器电路\n• BCR185S：两个内部隔离的晶体管，在一个多芯片封装中具有良好的匹配性\n• 无铅（符合 RoHS 标准）封装\n• 符合 AEC Q101 要求;

INFINEON

英飞凌

BCR185

数字晶体管

FOSHAN

蓝箭电子

BCR185

PNP Silicon Digital Transistor

文件：259.74 Kbytes Page：12 Pages

INFINEON

英飞凌

BCR185

丝印代码：WNs；PNP Silicon Digital Transistor

文件：873.27 Kbytes Page：11 Pages

INFINEON

英飞凌

BCR185F

PNP Silicon Digital Transistor

PNP Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1 = 10kΩ , R2 = 47kΩ ) • For 6-PIN packages: two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one packag

INFINEON

英飞凌

BCR185L3

PNP Silicon Digital Transistor

PNP Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1 = 10kΩ , R2 = 47kΩ ) • For 6-PIN packages: two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one packag

INFINEON

英飞凌

BCR185S

PNP Silicon Digital Transistor

PNP Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1 = 10kΩ , R2 = 47kΩ ) • For 6-PIN packages: two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one packag

INFINEON

英飞凌

BCR185S

PNP Silicon Digital Transistor Array

PNP Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1 = 10kΩ , R2 = 47kΩ ) • For 6-PIN packages: two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one packag

INFINEON

英飞凌

BCR185S

PNP Silicon Digital Transistor Array (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit)

PNP Silicon Digital Transistor Array • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Two (galvanic) internal isolated Transistors in one package • Built in biase resistor (R1=10kΩ, R2=47kΩ)

SIEMENS

西门子

BCR185T

PNP Silicon Digital Transistor

PNP Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1 = 10kΩ , R2 = 47kΩ ) • For 6-PIN packages: two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one packag

INFINEON

英飞凌

BCR185U

丝印代码：WNs；PNP Silicon Digital Transistor Array

PNP Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1 = 10kΩ , R2 = 47kΩ ) • For 6-PIN packages: two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one packag

INFINEON

英飞凌

BCR185U

丝印代码：WNs；PNP Silicon Digital Transistor

PNP Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1 = 10kΩ , R2 = 47kΩ ) • For 6-PIN packages: two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one packag

INFINEON

英飞凌

BCR185W

丝印代码：WNs；PNP Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit)

PNP Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1 = 10kΩ, R2 = 47kΩ)

SIEMENS

西门子

BCR185W

丝印代码：WNs；PNP Silicon Digital Transistor

PNP Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1 = 10kΩ , R2 = 47kΩ ) • For 6-PIN packages: two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one packag

INFINEON

英飞凌

BCR185_07

PNP Silicon Digital Transistor

文件：259.74 Kbytes Page：12 Pages

INFINEON

英飞凌

BCR185_11

PNP Silicon Digital Transistor

文件：873.27 Kbytes Page：11 Pages

INFINEON

英飞凌

BCR185E6433HTMA1

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR） 描述：TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置

INFINEON

英飞凌

BCR185F

PNP Silicon Digital Transistor

文件：259.74 Kbytes Page：12 Pages

INFINEON

英飞凌

BCR185S

PNP Silicon Digital Transistor

文件：259.74 Kbytes Page：12 Pages

INFINEON

英飞凌

BCR185S

丝印代码：WNs；PNP Silicon Digital Transistor

文件：873.27 Kbytes Page：11 Pages

INFINEON

英飞凌

BCR185W

丝印代码：WNs；PNP Silicon Digital Transistor

文件：873.27 Kbytes Page：11 Pages

INFINEON

英飞凌

BCR185W

Digital Transistor

INFINEON

英飞凌

BCR185W

PNP Silicon Digital Transistor

文件：259.74 Kbytes Page：12 Pages

INFINEON

英飞凌

BCR185WE6327BTSA1

封装/外壳：SC-70，SOT-323 包装：卷带（TR） 描述：TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置

INFINEON

英飞凌

MRF185

LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET

• High Gain, Rugged Device • Broadband Performance from HF to 1 GHz • Bottom Side Source Eliminates DC Isolators, Reducing Common Mode Inductances

MOTOROLA

摩托罗拉

NTE185

Silicon Complementary Transistors Audio Power Amp, Switch

Description: The NTE184 (NPN) and NTE185 (PNP) are silicon complementary transistors in a TO126 plastic package designed for use in power amplifier and switching circuits. Features: • Excellent Safe Area Limits

NTE

LM185

Adjustable Micropower Voltage References

文件：747.67 Kbytes Page：14 Pages

NSC

国半

LM185BH

Adjustable Micropower Voltage References

文件：747.67 Kbytes Page：14 Pages

NSC

国半

LM185BYH

Adjustable Micropower Voltage References

文件：747.67 Kbytes Page：14 Pages

NSC

国半

BCR185产品属性

  • 类型

    描述

  • hFEmin：

    70

  • ICBOmax：

    100 nA

  • Ptotmax：

    200 mW

  • R1 / R2：

    0.21

  • R1：

    10 kΩ

  • R2：

    47 kΩ

  • VCBOmax：

    50 V

  • VCE(sat)max：

    0.3 V

  • VCEOmax：

    50 V

  • VEBOmax：

    6 V

  • Vi (off) max：

    1 100µA / 5V

  • Vi (on)max：

    1 V

  • Vi (on)min：

    0.5 2mA / 0.3V

  • Mounting：

    SMT

  • Polarity：

    PNP (Single)

BCR185供应商更多...

更新时间：2026-5-15 16:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市昌和盛利电子有限公司
BCR185E6327
Infineon/英飞凌
26+
SOT23
15000
全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订
询价
深圳市华斯顿科技有限公司
BCR185E6327
INFINE
25+23+
SOT23-3
40440
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货
询价
深圳市芯球通科技有限公司
BCR185
Infineon(英飞凌)
23+
SOT-23
19850
原装正品,假一赔十
询价
深圳市振宏微科技有限公司
BCR185
SOT-23
23+
NA
15659
振宏微专业只做正品,假一罚百!
询价
深圳市正纳电子有限公司
BCR185
Infineon(英飞凌)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
询价
深圳市恒达亿科技有限公司
BCR185
Infineon
25+
SOT23
3200
全新原装、诚信经营、公司现货销售
询价
深圳市一线半导体有限公司
BCR185
INFINEON
24+
SOT-23
9200
新进库存/原装
询价
深圳市得捷芯城科技有限公司
BCR185S
Infineon(英飞凌)
25+
SOT-363
18798
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。
询价
深圳市达恩科技有限公司
BCR185E6327
Infineon
24+
NA
3000
进口原装正品优势供应
询价
深圳市金华微盛电子有限公司
BCR185S
Infineon/英飞凌
2019+
SOT363
36000
原盒原包装 可BOM配套
询价

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BCR185参数引脚图相关

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