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BCR185W晶体管资料

  • BCR185W别名：BCR185W三极管、BCR185W晶体管、BCR185W晶体三极管

  • BCR185W生产厂家：

  • BCR185W制作材料：Si-P+R

  • BCR185W性质：表面帖装型（SMD）

  • BCR185W封装形式：贴片封装

  • BCR185W极限工作电压：50V

  • BCR185W最大电流允许值：0.1A

  • BCR185W最大工作频率：<1MHZ或未知

  • BCR185W引脚数：3

  • BCR185W最大耗散功率：

  • BCR185W放大倍数：

  • BCR185W图片代号：H-15

  • BCR185Wvtest：50

  • BCR185Whtest：999900

  • BCR185Watest：0.1

  • BCR185Wwtest：0

  • BCR185W代换 BCR185W用什么型号代替：DTA114YU,RN2307,UN5114,

BCR185W价格

参考价格：￥0.1437

型号：BCR185WH6327 品牌：INF 备注：这里有BCR185W多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，BCR185W批发/采购报价，BCR185W行情走势销售排行榜，BCR185W报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BCR185W

丝印代码：WNs；PNP Silicon Digital Transistor

PNP Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1 = 10kΩ , R2 = 47kΩ ) • For 6-PIN packages: two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one packag

INFINEON

英飞凌

BCR185W

丝印代码：WNs；PNP Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit)

PNP Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1 = 10kΩ, R2 = 47kΩ)

SIEMENS

西门子

BCR185W

Digital Transistor

INFINEON

英飞凌

BCR185W

PNP Silicon Digital Transistor

文件：259.74 Kbytes Page：12 Pages

INFINEON

英飞凌

BCR185W

丝印代码：WNs；PNP Silicon Digital Transistor

文件：873.27 Kbytes Page：11 Pages

INFINEON

英飞凌

BCR185WE6327BTSA1

封装/外壳：SC-70，SOT-323 包装：卷带（TR） 描述：TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置

INFINEON

英飞凌

BCR185WH6327XTSA1

封装/外壳：SC-70，SOT-323 包装：卷带（TR） 描述：TRANS PREBIAS PNP 0.25W SOT323-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置

INFINEON

英飞凌

MRF185

LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET

• High Gain, Rugged Device • Broadband Performance from HF to 1 GHz • Bottom Side Source Eliminates DC Isolators, Reducing Common Mode Inductances

MOTOROLA

摩托罗拉

NTE185

Silicon Complementary Transistors Audio Power Amp, Switch

Description: The NTE184 (NPN) and NTE185 (PNP) are silicon complementary transistors in a TO126 plastic package designed for use in power amplifier and switching circuits. Features: • Excellent Safe Area Limits

NTE

LM185

Adjustable Micropower Voltage References

文件：747.67 Kbytes Page：14 Pages

NSC

国半

LM185BH

Adjustable Micropower Voltage References

文件：747.67 Kbytes Page：14 Pages

NSC

国半

LM185BYH

Adjustable Micropower Voltage References

文件：747.67 Kbytes Page：14 Pages

NSC

国半

BCR185W产品属性

  • 类型

    描述

  • Polarity ：

    PNP (Single)

  • R1 ：

    10.0kΩ 

  • R2 ：

    47.0kΩ 

  • hFE min：

    70.0 

  • Vi (on) max：

    1.0V

  • Vi (on) min：

    0.52mA / 0.3V 

  • Vi (off)  max：

    1.0100µA / 5V

  • VCEO max：

    50.0V

  • VCBO max：

    50.0V

  • VEBO max：

    6.0V

  • Ptot max：

    250.0mW

  • ICBO max：

    100.0nA

  • fT ：

    200.0MHz 

  • VCE(sat) max：

    0.3V

  • Mounting ：

    SMT

  • R1 / R2 ：

    0.21 

BCR185W供应商更多...

更新时间：2026-5-18 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
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深圳市芯球通科技有限公司
BCR185WE6327
Infineon(英飞凌)
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