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BCR108W晶体管资料

  • BCR108W别名:BCR108W三极管、BCR108W晶体管、BCR108W晶体三极管

  • BCR108W生产厂家

  • BCR108W制作材料:Si-N+R

  • BCR108W性质:表面帖装型 (SMD)

  • BCR108W封装形式:贴片封装

  • BCR108W极限工作电压:50V

  • BCR108W最大电流允许值:0.1A

  • BCR108W最大工作频率:<1MHZ或未知

  • BCR108W引脚数:3

  • BCR108W最大耗散功率

  • BCR108W放大倍数

  • BCR108W图片代号:H-15

  • BCR108Wvtest:50

  • BCR108Whtest:999900

  • BCR108Watest:0.1

  • BCR108Wwtest:0

  • BCR108W代换 BCR108W用什么型号代替:DTC123JU,RN1305,

BCR108W价格

参考价格:¥0.1437

型号:BCR108WH6327 品牌:INF 备注:这里有BCR108W多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,BCR108W批发/采购报价,BCR108W行情走势销售排行榜,BCR108W报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BCR108W

丝印代码:WHs;NPN Silicon Digital Transistor

NPN Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1=2.2kΩ, R2=47kΩ) • For 6-PIN packages: two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package

INFINEON

英飞凌

BCR108W

丝印代码:WHs;NPN Silicon Digital Transistor

NPN Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1=2.2kΩ, R2=47kΩ) • For 6-PIN packages: two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package

INFINEON

英飞凌

BCR108W

丝印代码:WHs;NPN Silicon Digital Transistor

NPN Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1=2.2 kΩ, R2=47 kΩ) • BCR108S: Two internally isolated transistors with good matching in one multichip package • BCR108S: For orientation in reel see packa

INFINEON

英飞凌

BCR108W

NPN Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit)

NPN Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1=2.2kΩ, R2=47kΩ)

SIEMENS

西门子

BCR108W

Digital Transistor

INFINEON

英飞凌

BCR108W

丝印代码:WHs;NPN Silicon Digital Transistor

文件:873.25 Kbytes Page:11 Pages

INFINEON

英飞凌

BCR108W

丝印代码:WHs;NPN Silicon Digital Transistor

文件:211.61 Kbytes Page:12 Pages

INFINEON

英飞凌

封装/外壳:SC-70,SOT-323 包装:卷带(TR) 描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

INFINEON

英飞凌

封装/外壳:SC-70,SOT-323 包装:卷带(TR) 描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

INFINEON

英飞凌

200 VOLTS N-CHANNEL TMOS POWER FET LOGIC LEVEL

Logic Level TMOS N–Channel Enhancement Mode This TMOS FET is designed for high voltage, high speed switching applications such as line drivers, relay drivers, CMOS logic, microprocessor or TTL to high voltage interface and high voltage display drivers. • Low Drive Requirement, VGS = 3

MOTOROLA

摩托罗拉

HIGH EFFICIENCY RECTIFIERS(1.0A,600-1000V)

Switchmode Power Rectifiers . . . Designed for use in switching power supplies. These state-of-the-art devices have the fllowing features: * High Surge Capacity * Low Power Loss, High efficiency. * Glass Passivated chip junctions * 150°C Operating Junction Temperature * Low Stored Charge

MOSPEC

统懋

Operational Amplifiers

文件:158.28 Kbytes Page:8 Pages

NSC

国半

Operational Amplifiers

文件:158.28 Kbytes Page:8 Pages

NSC

国半

Operational Amplifiers

文件:158.28 Kbytes Page:8 Pages

NSC

国半

BCR108W产品属性

  • 类型

    描述

  • Polarity :

    NPN (Single)

  • R1 :

    2.2kΩ 

  • R2 :

    47.0kΩ 

  • hFE min:

    70.0 

  • Vi (on) max:

    0.8V

  • Vi (on) min:

    0.52mA / 0.3V 

  • Vi (off)  max:

    0.8100µA / 5V

  • VCEO max:

    50.0V

  • VCBO max:

    50.0V

  • VEBO max:

    5.0V

  • Ptot max:

    250.0mW

  • ICBO max:

    100.0nA

  • fT :

    170.0MHz 

  • VCE(sat) max:

    0.3V

  • Mounting :

    SMT

  • R1 / R2 :

    0.047 

更新时间:2026-5-19 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
24+
SOT-323-3
3022
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
INFINEON/英飞凌
25+
SOT323
32000
INFINEON/英飞凌全新特价BCR108WE6327即刻询购立享优惠#长期有货
INFINEON
2025+
N/A
70000
柒号只做原装 现货价秒杀全网
Infineon(英飞凌)
25+
N/A
18798
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。
Infineon(英飞凌)
23+
25650
新到现货,只做原装进口
Infineon/英飞凌
2019+
SOT323
36000
原盒原包装 可BOM配套

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