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BCP53-16-AU_R2_000A1

PNP Low Vce(sat) Transistor

Features  Silicon PNP epitaxial type  Low Vce(sat) -0.4V(max)@Ic/Ib= -500mA / -50mA  High collector current capability  Excellent DC current gain characteristics  AEC-Q101 qualified  Lead free in compliance with EU RoHS 2.0  Green molding compound as per IEC 61249 Standard  NPN com

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封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 包装:卷带(TR) 描述:TRANS PNP 100V 1A SOT223 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

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更新时间:2025-8-8 22:58:00
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