BCP53-16 PNP80V145MHz100V高端芯片热卖产品质量保证可提供样品

时间:2019-2-28 10:17:00

BCP53-16 PNP 80V 145MHz 100V高端芯片热卖产品质量保证可提供样品

BCP53-16,115产品详细规格

Rohs Lead free / RoHS Compliant

标准包装 1,000

晶体管类型 PNP

- 集电极电流(Ic)(最大) 1A

电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V

Vce饱和(最大)@ IB,IC 500mV @ 50mA, 500mA

电流 - 集电极截止(最大) -

直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 100 @ 150mA, 2V

功率 - 最大 1W

频率转换 145MHz

安装类型 Surface Mount

包/盒 TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装 SC-73

包装材料 Tape & Reel (TR)

包装 4SOT-223

类型 PNP

引脚数 4

最大集电极发射极电压 80 V

集电极最大直流电流 1 A

最小直流电流增益 100@150mA@2V

最大工作频率 145(Typ) MHz

最大集电极发射极饱和电压 0.5@50mA@500mA V

最大集电极基极电压 100 V

工作温度 -55 to 150 °C

最大功率耗散 1350 mW

安装 Surface Mount

标准包装 Tape & Reel

集电极最大直流电流 1

Maximum Transition Frequency 145(Typ)

包装宽度 3.7(Max)

PCB 3

最大功率耗散 1350

欧盟RoHS指令 Compliant

每个芯片的元件数 1

最大集电极基极电压 100

最低工作温度 -55

供应商封装形式 SC-73

标准包装名称 SOT-223

最高工作温度 150

包装长度 6.7(Max)

最大集电极发射极电压 80

包装高度 1.7(Max)

最大基地发射极电压 5

封装 Tape and_Reel

标签 Tab

铅形状 Gull-wing

电流 - 集电极( Ic)(最大) 1A

晶体管类型 PNP

安装类型 Surface Mount

频率 - 转换 145MHz

下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 500mV @ 50mA, 500mA

电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V

供应商设备封装 SC-73

功率 - 最大 1W

封装/外壳 TO-261-4, TO-261AA

直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 100 @ 150mA, 2V

RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

其他名称 568-6105-1

类别 Bipolar Power

配置 Single Dual Collector

外形尺寸 1.7 x 6.7 x 3.7mm

身高 1.7mm

长度 6.7mm

最大基地发射极电压 5 V

最高工作温度 +150 °C

最低工作温度 -65 °C

包装类型 SC-73

宽度 3.7mm

工厂包装数量 1000

增益带宽产品fT 145 MHz

产品种类 Transistors Bipolar - BJT

晶体管极性 PNP

发射极 - 基极电压VEBO 5 V

直流集电极/增益hfe最小值 100 at 150 mA at 2 V

直流电流增益hFE最大值 100 at 150 mA at 2 V

集电极 - 发射极最大电压VCEO 80 V

安装风格 SMD/SMT

集电极 - 基极电压VCBO 100 V

零件号别名 BCP53-16 T/R

RoHS RoHS Compliant

集电极电流( DC)(最大值) 1 A

集电极 - 基极电压(最大值) 100 V

集电极 - 发射极电压 80 V

发射极 - 基极电压(最大值) 5 V

频率(最大) 145 MHz

功率耗散 1 W

工作温度范围 -65C to 150C

元件数 1

直流电流增益 100@150mA@2V

工作温度分类 Military

弧度硬化 No

输出功率(最大) Not Required W

直流电流增益(最小值) 100

集电极 - 基极电压 100 V

发射极 - 基极电压 5 V

频率 145 MHz

集电极电流(DC ) 1 A

Collector Emitter Voltage V(br)ceo :-80V

Transition Frequency ft :145MHz

功耗 :650mW

DC Collector Current :-1A

DC Current Gain hFE :100

Operating Temperature Min :-55°C

Operating Temperature Max :150°C

Transistor Case Style :SOT-223

No. of Pins :4

MSL :MSL 1 - Unlimited

SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)

Weight (kg) 0.00012

Tariff No. 85412900

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

Zetex

Zetex Semiconductors

Zetex

PNP medium power transistors

PhilipsROYAL PHILIPS

飞利浦荷兰皇家飞利浦

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PNP Silicon AF Transistors (For AF driver and output stages High collector current)

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

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STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

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InfineonInfineon Technologies AG

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80 V, 1 A PNP medium power transistors

nxpNXP Semiconductors

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MCCMicro Commercial Components

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80 V, 1 A PNP medium power transistors

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2024-4-24 18:13:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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