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位置：首页 > IC中文资料第2136页 > BC849BW

BC849BW价格

参考价格：￥0.1237

型号：BC849BW,115 品牌：NXP 备注：这里有BC849BW多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，BC849BW批发/采购报价，BC849BW行情走势销售排行榜，BC849BW报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
BC849BW

NPN general purpose transistors

DESCRIPTION NPN transistor in a SOT323 plastic package. PNP complements: BC859W and BC860W. FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS • Low noise stages in tape recorders, hi-fi amplifiers and other audio-frequency equipment.

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

BC849BW

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors • Power dissipation 200 mW • Plastic case SOT-323 • Weight approx. 0.01 g • Plastic material has UL classification 94V-0 • Standard packaging taped and reeled

DiotecDiotec Semiconductor

德欧泰克

Diotec
BC849BW

NPN Silicon AF Transistors

NPN Silicon AF Transistors ● For AF input stages and driver applications ● High current gain ● Low collector-emitter saturation voltage ● Low noise between 30 Hz and 15 kHz ● Complementary types: BC856W, BC857W, BC858W, BC859W, BC860W (PNP)

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
BC849BW

NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTORS

FEATURES • General purpose amplifier applications • NPN epitaxial silicon, planar design • Collector current IC = 100mA • Both normal and Pb free product are available : Normal : 80~95 Sn, 5~20 Pb Pb free: 98.5 Sn above

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

PANJIT
BC849BW

NPN general purpose transistors

ETC

知名厂家

BC849BW

NPN Transistor

FEATURES - Low reverse current, high reliability - Surface device type mounting - Moisture sensitivity level 1 - Matte Tin(Sn) lead finish with Nickel(Ni) underplate - Pb free version and RoHS compliant - Packing code with suffix G means green compound (halogen-free)

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台湾半导体台湾半导体股份有限公司

TSC
BC849BW

NPN general purpose transistors

FEATURES •Low current (max. 100 mA) •Low voltage (max. 45 V).

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA
BC849BW

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

文件：446.64 Kbytes Page：5 Pages

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣电子唯圣电子有限公司

GWSEMI
BC849BW

SMD General Purpose NPN Transistors

文件：130.039 Kbytes Page：2 Pages

DiotecDiotec Semiconductor

德欧泰克

Diotec
BC849BW

NPN Transistor

文件：236.02 Kbytes Page：6 Pages

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台湾半导体台湾半导体股份有限公司

TSC
BC849BW

SMD General Purpose NPN Transistors

文件：126.13 Kbytes Page：2 Pages

DiotecDiotec Semiconductor

德欧泰克

Diotec
BC849BW

Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors

文件：98.77 Kbytes Page：2 Pages

DiotecDiotec Semiconductor

德欧泰克

Diotec
BC849BW

NPN Silicon AF Transistor (For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage)

文件：272.32 Kbytes Page：8 Pages

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西门子德国西门子股份公司

SIEMENS
BC849BW,115

封装/外壳：SC-70，SOT-323 包装：卷带（TR） 描述：TRANS NPN 30V 0.1A SOT323 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ETC

知名厂家

BC849BW,135

封装/外壳：SC-70，SOT-323 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 30V 0.1A SOT323 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ETC

知名厂家

849

Premier Supplier of Electronic Hardware

文件：5.0379 Mbytes Page：60 Pages

ABBATRON

Abbatron All Rights Reserved

ABBATRON
849A

R.F.POWER AMPLIFIER, OSCILLATOR, A.F.POWER AMPLIFIER, OR MODULATOR

文件：936.79 Kbytes Page：4 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

etc2
849B

R.F.POWER AMPLIFIER, OSCILLATOR, A.F.POWER AMPLIFIER, OR MODULATOR

文件：936.79 Kbytes Page：4 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

etc2
849C

R.F.POWER AMPLIFIER, OSCILLATOR, A.F.POWER AMPLIFIER, OR MODULATOR

文件：936.79 Kbytes Page：4 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

etc2
849D

R.F.POWER AMPLIFIER, OSCILLATOR, A.F.POWER AMPLIFIER, OR MODULATOR

文件：936.79 Kbytes Page：4 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

etc2

BC849BW产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BC849BW

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT TRANS LOW NOISE TAPE-11

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

BC849BW供应商更多...

更新时间：2025-8-5 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
BC849BW,115
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