P-Channel MOSFET

FEATURE Leading Trench Technology for Low RDS(on) Extending Battery Life APPLICATION High Side Load Switch Charging Circuit Single Cell Battery Applications such as Cell Phones, Digital Cameras ,PDAs, etc

Sub-1GHz RF 发射器

BC2102 是一款低成本的 sub-1GHz OOK/FSK 发射器，适用于 315MHz、433MHz、470MHz、868MHz 和 915MHz 频段的无线应用。它是一种高度集成、低成本的单向发射器方案，仅需提供一个晶振、几个外部电容和几个 PA 输出匹配元件在 PCB 上即可构建一个完整的 RF 发射器方案。BC2102 由一个高度集成的小数 N 分频合成器和一个 Class-E 功率放大器 (PA) 组成。由于采用了小数 N 分频合成器，用户可以将发射器设计在更宽的频率范围内工作。Class-E PA 可以提供高达 +13dBm 的输出功率。BC2102支持OOK和FSK调制方式， • 工作电压：\n• 完整的 Sub-1GHz OOK/FSK 发射器\n• 支持 OOK/FSK 调制方式\n• 低休眠电流\n• 可编程字符速率\n• 支持 16MHz低成本晶振\n• 完全集成 VCO，片上环路滤波器与 PLL 频率合成器\n• 内建 64×1-bit FUSE 数据存储器\n• 封装类型：8-pin SOP-EP;

N-Channel MOSFET

FEATURE TrenchFET Power MOSFET APPLICATION Load Switch for Portable Devices DC/DC Converter

场效应管

Sub-1GHz OOK/FSK Transmitter

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SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS 12.5 WATTS

SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS 12.5 WATTS MJD200 NPN MJD210 PNP NPN/PNP Silicon DPAK For Surface Mount Applications . . . designed for low voltage, low–power, high–gain audio amplifier applications. • Collector–Emitter Sustaining Voltage —VCEO(sus)= 25 Vdc (Min) @ IC= 10 mAdc

5 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 25 VOLTS 15 WATTS

Complementary Silicon Power Plastic Transistors . . . designed for low voltage, low–power, high–gain audio amplifier applications. • Collector–Emitter Sustaining Voltage — VCEO(sus) = 25 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc • High DC Current Gain — hFE = 70 (Min) @ IC = 500 mAdc High

POWER RECTIFIERS(2.0A,500-1000V)

Surface Mount Ultrafast Power Rectifiers Ideally suite for high voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and protection diodes in surface mount applications where compact size and weight are critical to the system.

POWER RECTIFIERS(2.0A,500-1000V)

Voltage Follower

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