位置：首页 > IC中文资料第6249页 > BB503CCS-TL-E
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
BB503CCS-TL-E | BuiltinBiasingCircuitMOSFETICUHFRFAmplifier Features •BuiltinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Lownoise;NF=1.8dBtyp.atf=900MHz •Highgain;PG=22dBtyp.atf=900MHz •WithstandingtoESD;BuiltinESDabsorbingdiode.Withstandupto200VatC=200pF,Rs=0conditions. •Providemini | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  |   |
AvailablewithSolderTailorWireWrapPins 文件：658.37 Kbytes Page：1 Pages | ARIES Aries Electronics,inc |  | | |
Additionaltestingcanbeoffereduponrequest 文件：117.48 Kbytes Page：4 Pages | SMCSintered Metal Company 烧结金属烧结金属公司 |  | | |
LowCost,WideInput,5WSingle&DualOutputDC/DCConverters 文件：187.01 Kbytes Page：2 Pages | MPD MPD (Memory Protection Devices) |  | | |
VeryHighIsolation,5WSingle&DualOutputDC/DCConverters 文件：834.36 Kbytes Page：2 Pages | MPD MPD (Memory Protection Devices) | | | |
Single&DualOutput,5WUltra-WideInputRangeDC/DCConverters 文件：175.26 Kbytes Page：2 Pages | MPD MPD (Memory Protection Devices) | | |
BB503CCS-TL-E产品属性
- 类型
描述
- 型号
BB503CCS-TL-E
- 制造商
RENESAS
- 制造商全称
Renesas Technology Corp
- 功能描述
Built in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
SOT343 |
68900 |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
||||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
23+ |
- |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
|||
RENESAS |
2016+ |
SOT343 |
9000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
NA/ |
3000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
RENESAS |
2016+ |
SOT343 |
6523 |
只做进口原装现货!假一赔十! |
|||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
20+ |
- |
3000 |
||||
SMD |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
|||
RENESAS |
23+ |
SOT143 |
3200 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
|||
RENESAS |
2021+ |
SOT343 |
9000 |
百分百原装正品 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
SOT343 |
9990 |
原装正品，支持实单 |
BB503CCS-TL-E芯片相关品牌
BB503CCS-TL-E规格书下载地址
BB503CCS-TL-E参数引脚图相关
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2012-12-4
DdatasheetPDF页码索引
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