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Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor

Description • Low saturation voltage, VCE(SAT) = -0.2V(max.) at IC/IB=-1A/-50mA. • High current capability. • Excellent DC current gain characteristics. • Pb-free lead plating and halogen-free package.

CYSTEKEC

全宇昕科技

更新时间:2025-12-29 23:01:01
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