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B60D3K

3.0A BRIDGE RECTIFIER

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ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd

淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司

ZSELEC

Silicon N Channel IGBT Application: Inverter

Features • Short circuit withstand time (5 μs typ.) • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 17 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) • Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package • Trench gate and thin wafer technology • High speed switching tf =

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
更新时间:2025-8-5 21:28:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
EPCOS/爱普科斯
专业模块
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