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25V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

FEATURES • RDS(ON), VGS@10V,IDS@30A=9mΩ • RDS(ON), VGS@4.5V,IDS@30A=12mΩ • Advanced trench process technology • High Density Cell Design For Uitra Low On-Resistance • Specially Designed for DC/DC Converters and Motor Drivers • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

PANJIT

強茂

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更新时间:2025-10-19 8:22:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
英飞凌
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INFINEON/英飞凌
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Infineo
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