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AO8814中文资料

厂家型号

AO8814

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119.06Kbytes

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4

功能描述

Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8TSSOP

数据手册

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生产厂商

AOSMD

AO8814数据手册规格书PDF详情

General Description

The AO8814 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. It is ESD protected. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load switch, facilitated by its common-drain configuration. Standard Product AO8814is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO8814L is a Green Product ordering option. AO8814 and AO8814L are electrically identical

Features

VDS (V) = 20V

ID = 7.5 A (VGS = 10V)

RDS(ON) < 16mΩ (VGS = 10V)

RDS(ON) < 18mΩ (VGS = 4.5V)

RDS(ON) < 24mΩ (VGS = 2.5V)

RDS(ON) < 34mΩ (VGS = 1.8V)

ESD Rating: 2500V HBM

AO8814产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AO8814

  • 功能描述

    MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8TSSOP

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 阵列

  • 系列

    -

  • 产品目录绘图

    8-SOIC Mosfet Package

  • 标准包装

    1

  • 系列

    - FET

  • 2 个 N 沟道(双) FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    - 功率 -

  • 最大

    1.4W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    PowerPAK? SO-8

  • 供应商设备封装

    PowerPAK? SO-8

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    SI7948DP-T1-GE3DKR

更新时间:2025-12-3 10:03:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
AOS美国万代
24+
TSSOP-8
888000
AOS代理商 优势现货美国万代全系列MOS管
AOS
23+
TSSOP8
30000
原装正品,假一罚十
AOS
25+
TSSOP8
98961
原厂代理MOS管,原装现货
TWGMC臺灣迪嘉
25+
TSSOP8
36000
TWGMC臺灣迪嘉原装现货AO8814A即刻询购立享优惠#长期有排单订
AOS
24+25+
TSSOP-8
15000
原厂原装终端客户免费申请样品
AOS
23+
TSSOP8
15001
销售一系列芯片,进口原装
AOS
16+
TSSOP-8
9261
AOS
24+
TSSOP8
9800
一级代理/全新原装现货/长期供应!
AOS/万代
2019+
TSSOP8
3333
原厂渠道 可含税出货
AOS
23+
TSSOP8
32078
10年以上分销商,原装进口件,服务型企业

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