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AO8810中文资料

厂家型号

AO8810

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4

功能描述

Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

MOSFET DUAL N-CH 20V 7A 8-TSSOP

数据手册

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生产厂商

AOSMD

AO8810数据手册规格书PDF详情

General Description

The AO8810 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protected. AO8810L is offered in a lead-free package. Standard Product AO8810 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO8810L is a Green Product ordering option. AO8810 and AO8810L are electrically identical.

Features

VDS (V) = 20V

ID = 7 A (VGS = 4.5V)

RDS(ON) < 20mΩ (VGS = 4.5V)

RDS(ON) < 24mΩ (VGS = 2.5V)

RDS(ON) < 32mΩ (VGS = 1.8V)

ESD Rating: 2000V HBM

AO8810产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AO8810

  • 功能描述

    MOSFET DUAL N-CH 20V 7A 8-TSSOP

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 阵列

  • 系列

    -

  • 产品目录绘图

    8-SOIC Mosfet Package

  • 标准包装

    1

  • 系列

    - FET

  • 2 个 N 沟道(双) FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    - 功率 -

  • 最大

    1.4W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    PowerPAK? SO-8

  • 供应商设备封装

    PowerPAK? SO-8

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    SI7948DP-T1-GE3DKR

更新时间:2025-10-4 10:03:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
AOS美国万代
24+
TSSOP-8
666000
AOS代理商 优势现货美国万代全系列MOS管
AOS万代
2020
TSSOP8
769
全新原装 正品现货
AOS/万代
23+
NA
7825
原装正品!清仓处理!
AOS
25+
TSSOP8
98961
原厂代理MOS管,原装现货
AOS/万代
25+
TSSOP8
32000
AOS/万代全新特价AO8810即刻询购立享优惠#长期有货
AO
23+
TSSOP8
18961
公司优势库存热卖全新原装!欢迎来电
AOS
16/17+
TSSOP8
7716
AOS现货库存长期供应
AOS
24+
TSSOP8
9800
一级代理/全新原装现货/长期供应!
AOS/万代
2019+
TSSOP8
18000
原厂渠道 可含税出货
AOS/万代
24+
MSOP
2445
原厂授权代理 价格绝对优势

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  • 代理AO8810进口原装现货

    品牌:AOS/万代 生产批号:2020+ 封装:TSSOP-8

    2020-7-2
  • AO8810AO8814

    公司主营:台湾富晶,中星微,上海光宇,三洋MOS,理光,日本精工(SEIKO/SII)全系列CMOSIC;主要有锂离子可充电电池保护IC,富晶锂电池保护IC:DW01+G,DW01A-G,DW01-P,DW01C-G,DW01B-G,DW01MC-S,DW01MC-T,FS312F-G,FS3332C+MOS管FS8205,FS8205A,8205S,8205A,精工保护IC:S-8261ABJMG-G3JT2S,S-8261AAJMD-G2JT2S,S

    2019-3-28