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参考价格：￥3.2306

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AO4427	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4427 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge with a 25V gate rating. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. The device is ESD protected. Standard Product AO4427 is Pb-free (meets ROHS &	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4427	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested APPLICATIONS • Load Switches - Notebook PCs - Desktop PCs	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO4427	30V P-Channel MOSFET General Description The AO4427 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge with a 25V gate rating. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. The device is ESD protected. Product Summary VDS (V) = -30V I	WHXPCB 万和兴电子	WHXPCB
AN4427	Gasket design for optimal acoustic performance 文件：1.13772 Mbytes Page：19 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
AO4427	30V P-Channel MOSFET 文件：174.72 Kbytes Page：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

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更新时间：2026-3-12 20:00:02

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2024-8-9
AV1-1A211A-R00
只做原装
2023-5-31
AUIRFS4127
原装正品现货
2022-6-29
AUIRS2181STR
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2022-3-4
AUIRS2336STR
厂商名称 Infineon 包装说明 SOP， SOP28，.4 Reach Compliance Code compliant ECCN代码 EAR99 Factory Lead Time 26 weeks Samacsys Description Gate Drivers 3-Phase Bridge DRVR 600V 200mA 275ns 内置保护 TRANSIENT;_OVER CURRENT;_THERMAL;_UNDER VOLTAGE 接口集成电路类型 BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET
2021-10-16
AVH22LSSFE3242604
AVH22LSSFE3242604
2021-8-31