制造商 Infineon Technologies
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 72A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 22 毫欧 @ 44A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) 150 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 5380 pF @ 50 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 375W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
器件封装 PG-TO263-3