| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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Oven-Compensated,BuriedZener,6.62VVoltageReference GENERALDESCRIPTION TheADR1000isa6.62V,outputhighlystable,oven-controlled, buriedZenerreferencecomponentbuiltonanAnalogDevices,Inc., proprietarybipolarprocessandisapin-compatiblereplacementfor theLTZ1000.IncludedonthechipisaburiedZenerreference, aheaterre | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 |  |   | |
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特点•高效率（最小90％，在IO=300毫安〜600毫安）•使用外部P和N沟道MOSFET•支持和向上/向下的Zeta转换•最大负载100％•振荡频率300kHz或600kHz的•软启动一个外部的能力•输出电压精度±2％•内置，在ON/OFF功能•内置短路保护•待机电流最大。10μA•静态电流
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