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P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

DESCRIPTION The 9435 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES ● VDS = -30V,ID = -5.1A RDS(ON)

HOTTECH

合科泰

SOP-8 Plastic-Encapsulate MOSFETS

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TUOFENG

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Keystone Electronics Corp.

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更新时间:2026-1-4 17:03:01
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