型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
ASI1N23WE

SILICON MIXER DIODE

DESCRIPTION: The ASI 1N23WE is a Silicon Mixer Diode Designed for Applications Operating From 8.0 to 12.4 GHz. FEATURES: • High burnout resistance • Low noise figure • Hermetically sealed package

ASI

ASI1N23WE

SILICON MIXER DIODE

ETC

知名厂家

S - X Band Point Contact Mixer Diodes

SILICON POINT CONTACT MIXER DIODES ASI point contact mixer diodes are designed for applications from UHF through 26 GHz.

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

GENERAL PURPOSE UHF/MW MIXER DIODE

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NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

Microwave Diodes

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NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

Point Contact Diodes

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AMMSEMI

S - X Band Point Contact Mixer Diodes

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NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

ASI1N23WE产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    ASI1N23WE

  • 制造商

    ASI

  • 制造商全称

    ASI

  • 功能描述

    SILICON MIXER DIODE

更新时间:2026-1-28 22:50:00
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