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4 MEG x 16 EDO DRAM

[MEMPHIS] GENERAL DESCRIPTION The 4 Meg x 16 DRAM is a high-speed CMOS, dynamic random-access memory device containing 67,108,864 bits and designed to operate from 3V to 3.6V. The device is functionally organized as 4,194,304 locations containing 16 bits each. The 4,194,304 memory locations are

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更新时间:2025-12-20 11:45:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NSC/国半
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CAN4
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