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MEM4X16E43VTW-5

4 MEG x 16 EDO DRAM

[MEMPHIS] GENERAL DESCRIPTION The 4 Meg x 16 DRAM is a high-speed CMOS, dynamic random-access memory device containing 67,108,864 bits and designed to operate from 3V to 3.6V. The device is functionally organized as 4,194,304 locations containing 16 bits each. The 4,194,304 memory locations are

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MEM4X16E43VTW-5产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MEM4X16E43VTW-5

  • 功能描述

    4 MEG x 16 EDO DRAM

更新时间:2025-12-20 16:02:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MEMPHIS
24+
BGA
54000
郑重承诺只做原装进口现货
MEMPI
23+
TSOP
65480
MXIC
24+
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