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Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. • Fast Recovery Body | ADPOW |   | ||
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. • Faster Switchi | ADPOW | | ||
POWER MOS V짰 POWER MOS V® POWER MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increase packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. F | Microsemi 美高森美 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：419.77 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：419.75 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT |
24+ |
NA/ |
17068 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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APT |
25+ |
TO247 |
7516 |
原装正品,欢迎来电咨询! |
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MICROSEMI/美高森美 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
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MICROSEMI/美高森美 |
21+ |
TO247-3 |
120000 |
长期代理优势供应 |
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APT |
22+ |
TO-247 |
8000 |
原装正品支持实单 |
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APT |
24+ |
TO-247-3 |
8866 |
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MICROSEMI |
25+ |
5 |
公司优势库存 热卖中! |
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APT |
22+ |
原厂原封 |
8200 |
原装现货库存.价格优势!! |
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MICROSEMI/美高森美 |
24+ |
GPS |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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MICROCHIP |
23+ |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
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2020-2-23APW7047-先进的双PWM和源库线性控制器
描述 该APW7047提供了电源控制和保护三上的AGP/ PCI显卡输出电压申请。它集成了两个PWM控制器，一个源库线性控制器，以及监控在单一封装和保护功能。一个PWM转换器（PWM1的）规定的GPU的核心电压（1.5V）的使用同步。降压转换器。其他标准降压转换器（PWM2的）规定了权力的VMEM电压（2.5V）DDR内存。在源库线性控制器控制两个外部MOSFET是一个线性稳压器随着灌电流能力。它调节的VTT电压（1.25V），DDR终端电源电压。额外的内置过电压保护（OVP）将开始时的核心电压或VMEM输出高于115％每个DAC设置（核心电压和VMEM）。过压保护功能将关闭
2013-2-21APW3007-先进的双PWM和线性双电源控制器
一般描述 该APW3007提供电源控制和保护四在高性能微处理器的输出电压与计算机应用。该APW3007旨在提供终止电压的VTT电压（1.25V）为±1％的准确度。它集成了两个PWM控制器，一个线性稳压器和liear控制器以及监测和保护功能到一个包。一个PWM控制器微处理器核心电压调节具有同步整流降压转换器，而第二个PWM控制器提供的I / O3.3V电源与标准降压转换器。线性控制器调节功率的GTL总线和intermal200mA的调节时钟驱动电路。该APW3007可提供多余的产出的第14A条一个板上直流/直流转换器的电流通过内部参考电压。它可以监控所有的输出电压，和一个电源良
2013-2-21APW1681JC-TU-3通道电源监
APW1681是为了尽量减少外部个人电脑交换的组件供电系统。它提供保护电路，电源良好指示器，故障保护输出FPO和PSON控制。OVP（过电压保护）监视3.3V，5 V，和12 V（12 V OV通过V CC终端检测）。 UVP（欠压保护）监视3.3V和5V。当OV或紫外线条件被检测到，“警察通例”（电源良好输出）设置为低FPOis锁存高。 PSON从低到高复位保护闩锁。有一个2.36ms的关断延时fromPSON toFPO。有没有转过程中的延迟上。电源良好功能监控下的PGI，3.3V和5V电压和问题，一个电源良好信号时他们已经准备好。
2012-11-22
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