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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRFP21N60L

Power MOSFET

Power MOSFET FEATURES • Superfast Body Diode Eliminates the Need for External Diodes in ZVS Applications • Lower Gate Charge Results in Simple Drive Requirements • Enhanced dV/dt Capabilities Offer Improved Ruggedness • Higher Gate Voltage Threshold Offers Improved Noise Immunity • Lead (Pb)

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFP21N60L

SMPS MOSFET

FEATURES • Superfast body diode eliminates the need for external diodes in ZVS applications. • Lower Gate charge results in simple drive requirements. • Enhanced dV/dt capabilities offer improved ruggedness. • Higher Gate voltage threshold offers improved noise immunity. APPLICATIONS • Zero

IRF

21N60

Fast Switching

文件：49.85 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

HMS21N60

N-Channel Super Junction Power MOSFET II

文件：1.06048 Mbytes Page：8 Pages

HMSEMI

华之美半导体

HMS21N60F

N-Channel Super Junction Power MOSFET II

文件：1.06048 Mbytes Page：8 Pages

HMSEMI

华之美半导体

APTIXTH21N60供应商更多...

更新时间：2025-12-27 8:10:01
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APTIXTH21N60芯片相关品牌

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