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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
APT25GN120B2DQ2G | Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs 文件：9.86083 Mbytes Page：44 Pages | MICROSEMI 美高森美 |   | |
APT25GN120B2DQ2G | Power Semiconductors Power Modules 文件：2.83336 Mbytes Page：44 Pages | MICROSEMI 美高森美 | | |
APT25GN120B2DQ2G | 封装/外壳：TO-247-3 变式 包装：管件 描述：IGBT 1200V 67A 272W TMAX 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | MICROCHIP 微芯科技 | | |
APT25GN120B2DQ2G | IGBT w/ anti-parallel diode | MICROCHIP 微芯科技 | | |
APT25GN120B2DQ2G | IGBT 文件：220.65 Kbytes Page：9 Pages | ADPOW | | |
IGBT 文件：220.65 Kbytes Page：9 Pages | ADPOW | |
APT25GN120B2DQ2G产品属性
- 类型
描述
- 型号
APT25GN120B2DQ2G
- 功能描述
IGBT 1200V 67A 272W TMAX
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
- 系列
-
- 标准包装
30
- 系列
GenX3™ IGBT
- 类型
PT 电压 -
- 集电极发射极击穿（最大）
1200V Vge,
- Ic时的最大Vce（开）
3V @ 15V，100A 电流 -
- 集电极(Ic)（最大）
200A 功率 -
- 最大
830W
- 输入类型
标准
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-247-3
- 供应商设备封装
PLUS247?-3
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT |
1922+ |
TO-247 |
246 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
APT |
23+ |
TO-3P |
3000 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
NEC |
23+ |
SOP-8 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
|||
APT |
22+ |
TO-247 |
8000 |
原装正品支持实单 |
|||
APT |
24+ |
8866 |
|||||
Microsemi Corporation |
22+ |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
||||
APT |
22+ |
原厂原封 |
8200 |
原装现货库存.价格优势!! |
|||
Microchip Technology |
25+ |
TO-247-3 变式 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
Microsemi |
25+ |
N/A |
5600 |
正常排单原厂正规渠道保证原装正品 |
|||
MICROSEMI |
638 |
原装正品 |
APT25GN120B2DQ2G规格书下载地址
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