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APT10086BVR

PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.

PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. •FasterSwitching

ADPOW

Advanced Power Technology

ADPOW
APT10086BVR

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=13A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.86Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

PowerMOSVITMisanewgenerationoflowgatecharge,highvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.

PowerMOSVITMisanewgenerationoflowgatecharge,highvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.LowergatechargeisachievedbyoptimizingthemanufacturingprocesstominimizeCissandCrss.LowergatechargecoupledwithPowerMOSVITMoptimizedgatelayout,deliversexceptionally

ADPOW

Advanced Power Technology

ADPOW

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=13A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.86Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

AMERICANCORDSET;230cmLONGNEMA5-15PTOIEC60320C13,LEFTHANDED

文件:54.76 Kbytes Page:1 Pages

POWERDYNAMICS

PowerDynamics, Inc

POWERDYNAMICS

ContinuousHingewithClamps,Type4

文件:603.13 Kbytes Page:2 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

etc2

ScrewCover,Type12

文件:621.47 Kbytes Page:2 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

etc2

APT10086BVR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    APT10086BVR

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 1000V 13A TO-247

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    POWER MOS V®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2024-9-22 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
APT
2020+
TO-247
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
APT
24+
TO247
58000
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!
MICROCHIP(美国微芯)
23+
TO2473
6000
诚信服务,绝对原装原盘
APT
18+
TO-247
2050
公司大量全新原装 正品 随时可以发货
APTMICROSEMI
23+
TO-247B
90000
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持
APT
08+(pbfree)
8866
APT
22+
原厂原封
8200
原装现货库存.价格优势!!
Microchip
23+
SMD
67043
原装正品实单可谈 库存现货
APTMICROS
23+
TO-247B
5000
专注配单,只做原装进口现货
ADPOW
23+
原厂原包
19960
只做进口原装 终端工厂免费送样

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  • ABC
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