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APT10086BVR中文资料

厂家型号

APT10086BVR

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2

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

HIGH VOLT N-CHAN ENHANCEMENT MODE POWER MOST LEADED BEND OR - Bulk

数据手册

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生产厂商

ISC

APT10086BVR数据手册规格书PDF详情

FEATURES

·Drain Current –ID= 13A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage-

: VDSS= 1000V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on) = 0.86Ω(Max)@VGS= 10V

·100 avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

DESCRIPTION

·motor drive, DC-DC converter, power switch

and solenoid drive.

APT10086BVR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    APT10086BVR

  • 制造商

    Microsemi Corporation

  • 功能描述

    HIGH VOLT N-CHAN ENHANCEMENT MODE POWER MOST LEADED BEND OR - Bulk

更新时间:2025-10-11 16:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
APT
24+
8866
APT
22+
原厂原封
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原装现货库存.价格优势!!
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23+
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MICROCHIP(美国微芯)
24+
TO247
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