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DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistorwithSchottkyDiode

GeneralDescription TheAO4906usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThetwoMOSFETsmakeacompactandefficientswitchandsynchronousrectifiercombinationforuseinDC-DCconverters.ASchottkydiodeisco-packagedinparallelwiththesynchronous

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AOSMD

DualN-ChannelMOSFET

■Features N-Channel1 ●VDS(V)=30V ●ID=8.5A(VGS=10V) ●RDS(ON)

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN

DualN-Channel60V(D-S)175째CMOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

AdjustableRFInductors

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BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

Bourns

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更新时间:2025-8-4 13:44:01
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