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P -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

● General Description The TFD190P03M combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provideextremely low RDS(ON). Two P Channel MOSFET inside for dual DIE implication. ● Features Advance high cell densityTrench technology Low RDS(ON) to minimize conductive loss

TUOFENG

拓锋半导体

更新时间:2025-12-25 20:00:01
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