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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● 100% EAS Guaranteed ● Optimized V(BR)DSS Ruggedness ● Lead-Free,RoHS Compliant Description: The ADM90N06Q uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with | ADV 爱德微 | |||
Drain Current ?밒D= 90A@ TC=25C 文件:137.72 Kbytes Page:2 Pages | ISC 无锡固电 | |||
N-Channel Trench Power MOSFET 文件:634.29 Kbytes Page:6 Pages | HMSEMI 华之美半导体 | |||
N-Channel Super Trench Power MOSFET 文件:324.83 Kbytes Page:6 Pages | HMSEMI 华之美半导体 | |||
N-Channel MOSFET 文件:1.02305 Mbytes Page:4 Pages | KEXIN 科信电子 |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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24+ |
SSOP |
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一级分销商,原装正品 |
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AnalogDevices |
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ADI/亚德诺 |
26+ |
NA |
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2018-12-19
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