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APE190N15T

150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

APM

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=27.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 19mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

ISC

无锡固电

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 150V, 27.4A, 19m廓

文件:237.18 Kbytes Page:9 Pages

Fairchild

仙童半导体

更新时间:2025-12-16 23:01:00
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