位置：首页 > IC中文资料第9456页 > AP9T16AGH-HF
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
AP9T16AGH-HF | N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：628.94 Kbytes Page：5 Pages | DOINGTER 杜因特 |   | |
AP9T16AGH-HF | Lower Gate Charge, Capable of 2.5V Gate Drive 文件：71.61 Kbytes Page：4 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | |
Lower Gate Charge 文件：66.14 Kbytes Page：4 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
Fast Switching Characteristic 文件：54.87 Kbytes Page：5 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost-effectiveness. Low Gate Charge Capable of 2.5V gate drive Single Drive Requirement RoHS Compliant | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost-effectiveness. Low Gate Charge Capable of 2.5V gate drive Single Drive Requirement RoHS Compliant | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：959.92 Kbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |
AP9T16AGH-HF产品属性
- 类型
描述
- 型号
AP9T16AGH-HF
- 制造商
A-POWER
- 制造商全称
Advanced Power Electronics Corp.
- 功能描述
Lower Gate Charge, Capable of 2.5V Gate Drive
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
APEC/富鼎 |
24+ |
NA/ |
31225 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
APEC |
25+ |
TO-252 |
18500 |
原装正品,欢迎来电咨询! |
|||
APEC/富鼎 |
21+ |
TO-252 |
6382 |
优势供应 实单必成 可13点增值税 |
|||
AP |
24+ |
TO-252 |
25000 |
||||
APEC |
22+ |
TO-252 |
5000 |
原装现货库存.价格优势!! |
|||
APEC/富鼎 |
23+ |
TO-252 |
24190 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
APEC |
16+ |
10000 |
APEC富鼎代理证件齐全进口原装假一罚十 |
||||
富鼎 |
25+ |
原厂原封装 |
86720 |
全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔 |
|||
SR |
23+ |
TO252D-PAK |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
APEC |
22+ |
TO-252 |
20000 |
公司只做原装 品质保证 |
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