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9T16GH

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost-effectiveness. Low Gate Charge Capable of 2.5V gate drive Single Drive Requirement RoHS Compliant

A-POWER

富鼎先进电子

9T16GH

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

APEC

富鼎先进电子

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost-effectiveness. Low Gate Charge Capable of 2.5V gate drive Single Drive Requirement RoHS Compliant

A-POWER

富鼎先进电子

Lower Gate Charge, Capable of 2.5V Gate Drive

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A-POWER

富鼎先进电子

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

更新时间:2025-11-4 11:40:00
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