| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
AP6679BGM | Power MOSFETs | APEC 富鼎先进 |   | |
Simple Drive Requirement, Lower On-resistance 文件：101.02 Kbytes Page：4 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
Simple Drive Requirement 文件：101.02 Kbytes Page：4 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
Fast Switching Characteristic 文件：66.22 Kbytes Page：5 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description The TO-252 package is widely preferred for commercial-industrial surface mount applications and suited for low voltage applications such as DC/DC converters. The through-hole version (AP6679GJ) is available for low-profile applications. ▼ Lower On-resistance ▼ Simple Driv | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：998.82 Kbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：991.33 Kbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：991.29 Kbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
P-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件：1.02315 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2021-7-1
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