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AP50P06P

丝印代码:AP50P06P;-60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = -60V ID =-58A - RDS(ON)

APME

永源微电子

-60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = -60V ID =-58A - RDS(ON)

APME

永源微电子

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION The NP50P06KDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES •Super low on-state resistance RDS(on)1= 17 mΩMAX. (VGS= −10 V, ID= −25 A) RDS(on)2= 23 mΩMAX. (VGS= −4.5 V, ID= −25 A) •Low input capacitance

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更新时间:2026-5-25 9:22:00
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