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AP3G03LI

丝印代码:3000;30V NP-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 30V ID =3.8A - RDS(ON)

APME

永源微电子

isc P-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= -35A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= -40V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 19.1mΩ(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION · Switching

ISC

无锡固电

丝印代码:RD3G03BBG;Nch 40V 65A Power MOSFET

Features 1) Low on - resistance 2) High power package (TO-252) 3) Pb-free plating ; RoHS compliant 4) Halogen free Application Switching

ROHM

罗姆

丝印代码:FAPA-MK;30V NP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Application Battery protection Load switch Uninterruptible power supply

YFWDIODE

佑风微

丝印代码:RD3G03BAT;Pch -40V -35A Power MOSFET

文件:2.6332 Mbytes Page:14 Pages

ROHM

罗姆

更新时间:2026-7-29 12:18:00
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