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RD3G03BAT

丝印代码:RD3G03BAT;Pch -40V -35A Power MOSFET

文件:2.6332 Mbytes Page:14 Pages

ROHM

罗姆

RD3G03BAT

Pch -40V -35A 功率MOSFET

RD3G03BAT是适用于开关应用低导通电阻的功率MOSFET。 • Low on - resistance\n• Fast switching speed\n• Drive circuits can be simple\n• Parallel use is easy\n• Pb-free plating ; RoHS compliant;

ROHM

罗姆

丝印代码:RD3G03BBG;Nch 40V 65A Power MOSFET

Features 1) Low on - resistance 2) High power package (TO-252) 3) Pb-free plating ; RoHS compliant 4) Halogen free Application Switching

ROHM

罗姆

丝印代码:3000;30V NP-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 30V ID =3.8A - RDS(ON)

APME

永源微电子

丝印代码:FAPA-MK;30V NP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Application Battery protection Load switch Uninterruptible power supply

YFWDIODE

佑风微

RD3G03BAT产品属性

  • 类型

    描述

  • 封装:

    TO-252

  • 包装数量:

    2500

  • 最小独立包装数量:

    2500

  • 包装形态:

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • Package Code:

    TO-252 (DPAK)

  • JEITA Package:

    SC-63

  • Number of terminal:

    3

  • Polarity:

    Pch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]:

    -40

  • Drain Current ID[A]:

    -35

  • RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.):

    0.0185

  • RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.):

    0.015

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.):

    0.0185

  • Total gate charge Qg[nC]:

    19.5

  • Power Dissipation (PD)[W]:

    56

  • Drive Voltage[V]:

    -4.5

  • Mounting Style:

    Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

  • Package Size [mm]:

    6.6x10.0 (t=2.4)

更新时间:2026-5-19 15:44:00
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